|
|
Hodnocení obsahu glutathionu v rostlinách jako markeru znečištění životního prostředí těžkými kovy
Borková, Marie ; Stoupalová, Michaela (oponent) ; Opatřilová,, Radka (vedoucí práce)
Byla studována koncentrace glutathionu v závislosti na množství thalia v rostlině. Pokusnou rostlinou byla Kukuřice setá, u níž se zvlášť stanovovala kořenová a listová část. Byly vypracovány dva kultivační postupy, kdy semena a klíčící rostliny byly kultivovány v roztoku thalia o koncentraci 0, 1, 3, 5, 8, a 10 µmol/l. Při extrakci byly použity jako extrakční činidla roztoky fosfátového pufru a kyseliny askorbová. Stanovení glutathionu bylo provedeno pomocí kapilární elektroforézy (CE) a vysoko účinné kapalinové chromatografie (HPLC). U obou metod byl použit detektor diodového pole (DAD). Na stanovení množství thalia v rostlině byla použita metoda atomové emisní spektrometrie s indukčně vázanou plazmou (ICP AES).
|
|
|
Studium chování vybraných prvků v profilech půd na ložisku Alshar, Severní Makedonie.
Fizková, Karolína ; Mihaljevič, Martin (vedoucí práce) ; Vaňková, Maria (oponent)
Tato diplomová práce se zabývá studiem chování a mobility rizikových prvků Tl, Hg a As vyskytujících se v antropogenně vzniklých půdách na haldách bývalého ložiska Alshar v Severní Makedonii. Již od 15. století probíhala na této lokalitě těžba rud As, Sb a Au, přičemž svého vrcholu dosáhla během 19. a první poloviny 20. století. Půdy tak vznikaly na periodicky vrstvené hlušině různého stáří a původu. V dnešní době je oblast známá zejména díky velkému množství unikátních minerálních fází a také díky rozsáhlým možnostem studia kontaminace půd. Obsahy prvků v odebraných vzorcích byly výjimečně vysoké a bez optimalizace měření a vhodného ředění by přesahovaly horní mez detekce použitých analytických metod. Arzen a Tl se zde vyskytují průměrně v desítkách až stovkách mg/kg, Hg pak ve stovkách mg/kg. Chování rizikových prvků bylo posuzováno v souvislosti s půdními vlastnostmi, včetně zrnitosti, pH, kationtové výměnné kapacity, celkového obsahu uhlíku a síry či obsahu oxidů Fe, Mn a Al. V úvahu byl brán i vliv dalších rizikových prvků. U Tl byl navíc ve vybraných vzorcích stanovena hodnota ε 205 Tl. Z kompletních výsledků měření však bylo velmi obtížné pro studované profily sestavit obecně platný trend chování vybraných kontaminantů. Jako hlavní důvod se ukazuje velká prostorová a hloubková variabilita...
|
|
|
Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Švec, Martin (oponent)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Influence of Si surface passivation on growth and ordering of nanostructures
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; de la Torre, Bruno (oponent)
Kremík je v súčasnosti najpoužívanejší polovodičový materiál, ktorého aplikácie siahajú od solárnych článkov a senzorov po elektronické zariadenia. Funkcionalizácia povrchu pomocou molekulárnych vrstiev môže vylepšiť vlastnosti kremíkového povrchu a môže zmenšiť veľkosť funkčných prvkov elektronických zariadení. Avšak, nájdenie spôsobu akým molekuly naviazať na konkrétne miesta na povrchu a nájdenie spôsobu akým molekuly usporiadať na kremíkových povrchoch nie je ľahké kvôli vysokej reaktivite kremíku. V tejto práci používame skenovací tunelový mikroskop, ab-initio výpočty a kinetické Monte Carlo simulácie a študujeme adsorpciu organických molekúl na čistom a táliom pasivovanom povrchu Si(111). Ukazujeme, že polarita molekúl má veľký dopad na spôsob naviazania molekúl na čistý povrch. Naše pozorovania dokazujú, že v porovnaní s čistým povrchom sú molekuly a jedno-atomárne adsorbáty na pasivovanom povrchu výrazne mobilnejšie. Zvýšená mobilita molekúl spôsobuje vytvorenie 2D plynu na povrchu a umožňuje tvorbu samousporiadaných molekulárnych štruktúr. V práci navrhujeme novú metódu pre priame pozorovanie 2D molekulárneho plynu a ukazujeme, že pomocou nehomogénneho elektrického poľa je možné kontrolovať fázu molekúl na povrchu, v prípade že tieto molekuly na seba viažu dipólový moment. 1
|
|
|
Interaction of adsorbates with passivated Si surfaces studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Influence of Si surface passivation on growth and ordering of nanostructures
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; de la Torre, Bruno (oponent)
Kremík je v súčasnosti najpoužívanejší polovodičový materiál, ktorého aplikácie siahajú od solárnych článkov a senzorov po elektronické zariadenia. Funkcionalizácia povrchu pomocou molekulárnych vrstiev môže vylepšiť vlastnosti kremíkového povrchu a môže zmenšiť veľkosť funkčných prvkov elektronických zariadení. Avšak, nájdenie spôsobu akým molekuly naviazať na konkrétne miesta na povrchu a nájdenie spôsobu akým molekuly usporiadať na kremíkových povrchoch nie je ľahké kvôli vysokej reaktivite kremíku. V tejto práci používame skenovací tunelový mikroskop, ab-initio výpočty a kinetické Monte Carlo simulácie a študujeme adsorpciu organických molekúl na čistom a táliom pasivovanom povrchu Si(111). Ukazujeme, že polarita molekúl má veľký dopad na spôsob naviazania molekúl na čistý povrch. Naše pozorovania dokazujú, že v porovnaní s čistým povrchom sú molekuly a jedno-atomárne adsorbáty na pasivovanom povrchu výrazne mobilnejšie. Zvýšená mobilita molekúl spôsobuje vytvorenie 2D plynu na povrchu a umožňuje tvorbu samousporiadaných molekulárnych štruktúr. V práci navrhujeme novú metódu pre priame pozorovanie 2D molekulárneho plynu a ukazujeme, že pomocou nehomogénneho elektrického poľa je možné kontrolovať fázu molekúl na povrchu, v prípade že tieto molekuly na seba viažu dipólový moment. 1
|
|
|
Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Švec, Martin (oponent)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Interaction of adsorbates with passivated Si surfaces studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Hodnocení obsahu glutathionu v rostlinách jako markeru znečištění životního prostředí těžkými kovy
Borková, Marie ; Stoupalová, Michaela (oponent) ; Opatřilová,, Radka (vedoucí práce)
Byla studována koncentrace glutathionu v závislosti na množství thalia v rostlině. Pokusnou rostlinou byla Kukuřice setá, u níž se zvlášť stanovovala kořenová a listová část. Byly vypracovány dva kultivační postupy, kdy semena a klíčící rostliny byly kultivovány v roztoku thalia o koncentraci 0, 1, 3, 5, 8, a 10 µmol/l. Při extrakci byly použity jako extrakční činidla roztoky fosfátového pufru a kyseliny askorbová. Stanovení glutathionu bylo provedeno pomocí kapilární elektroforézy (CE) a vysoko účinné kapalinové chromatografie (HPLC). U obou metod byl použit detektor diodového pole (DAD). Na stanovení množství thalia v rostlině byla použita metoda atomové emisní spektrometrie s indukčně vázanou plazmou (ICP AES).
|
|
|
Geochemická pozice thallia v lesních a zemědělských půdách
DROZDOVÁ, Adéla
Magisterská diplomová práce se zabývá geochemickou pozicí thallia litogenního a antropogenního původu v zemědělských a lesních půdách. První studovanou oblastí byla lokalita Kluky u Písku v jižních Čechách s výskytem thallia výhradně litogenního původu. Druhou studovanou oblastí byla lokalita Olkusz v jižním Polsku, kde se vyskytuje thallium především antropogenního původu. Na obou lokalitách byly v jednotlivých půdních horizontech zjištěny velké rozdíly v distribuci a mobilitě thallia. Koncentrace thallia v půdách byly stanoveny pomocí sekvenčního extrakčního postupu a hmotnostní spektrometrie s indukčně vázaným plazmatem (ICP-MS). Dále bylo zjištěno, že erozivní procesy, následná depozice, stejně jako procesy bioturbace představují významné faktory mobilizace thallia litogenního původu i jeho pohybu mezi živou a neživou složkou životního prostředí. Na základě zjištěných výsledků závisí depozice thallia antropogenního původu především na směru převažujících větrů v krajině, členitosti terénu a jeho charakteru (přítomnost/nepřítomnost lesů apod.). Velkou úlohu při procesu mobilizace/imobilizace thallia antropogenního původu a následné kontaminaci půd hrají také postup zpracování těžených rud a nevhodně umístěná úložiště odpadů.
|
host ::
RSS.